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DDR4信号完整性测试中的时序分析如何进行？
tCWL（CAS Write Latency）：写入潜伏期，与CL类似，影响写入速率。 维度2：决定动态稳定性的时序参数 tWPST/tWPRE/tRPRST/tWPRE：解决写/读周期初始和结束时DQS状态转换时的采样误差。 Tds/Tdh（DDR4之前）/TDiVW（DDR4）：建立和保持时间，影响写周期稳定性。
DDR4规范中提出了包括DQ眼图模板测试、抖动分析、电气特性测试和时序测试在内的全面测试要求。相比于DDR3，DDR4在抖动测试中引入了更实际的考量，将随机抖动和确定性抖动分开，更全面地评估信号质量。同时，DDR4规范要求进行DQ输入接收端的眼图模板测试，以更准确地评估信号完整性。
电源完整性分析需进行多项测量，确保设备得到纯净电力。使用实时示波器、电源探头和高灵敏度电流探头进行测量，加速调试和表征过程。S参数仿真用于表征无源器件特性，通过级联仿真方便处理数据。传输线阻抗计算帮助设计匹配系统，减少信号反射等问题。串扰仿真优化设计，减少成本，提高性能。
在计算建立保持时间时，基于DDR3-1333的标准，DQ信号的设置与保持斜率对时间参数产生了影响。通过具体数值的计算，可以确定符合JEDEC79-3A标准的建立保持时间，以确保数据的正确传输。虽然本文以DDR3为例深入探讨了时序相关的内容，但DDR4技术的发展带来了新的挑战与机遇。
行预充电操作（tRP）用于关闭当前工作行，以准备对新行进行寻址与数据传输。该操作确保内存芯片的正常运行，同时优化了内存访问效率。ODT（On-Die Termination）电阻用于在内存芯片内部校准信号，防止信号反射，优化信号完整性。
测试内容：它能够对PCBA上的元器件进行各种电气特性测试，包括但不限于电阻、电容、电感、电流、电压等。此外，还能进行更复杂的电路特性测试，如逻辑功能、时序分析、信号完整性等。
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