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微星N580GTX-M2D15D5显卡效能提升22.9%,是单核心最强?
〖壹〗、 微星N580GTX-M2D15D5的卓越性能体现在3DMark Vantage测试中，P分数从22600飙升至27787，X分数从10079提升到13336，性能提升幅度分别达到29%和34%。这不仅是单核心显卡的效能巅峰，更是极限超频玩家和追求效能的发烧友的理想选取 。
〖贰〗、 N580GTX-M2D15D5凭借其1536MB GDDR5高速绘图内存，展现出了强大的3D处理能力。在3DMark Vantage测试中，P分数从22600提升至27787，提升了29%，而X分数则从10079飞跃至13336，效能提升逼近34%。这款显卡无疑是近来 单核心显卡中的性能之王，尤其受到极限超频爱好者和追求效能的玩家的热烈追捧。
东芝闪存颗粒命名规则
〖壹〗、 命名规则解析：THGAF4G9N4LBAIR（UFS1，15nm，MLC）该命名规则由一系列字符组成，每个字符代表不同的信息。T： “Toshiba” 东芝，代表该产品的制造商。H： “Multi-chip” 多芯片封装，表示该产品采用多芯片封装技术。G： 符号，代表该产品的闪存类型为“IC”（集成电路）。
〖贰〗、 命名规则以THGAF4G9N4LBAIR为例，解析如下：字符1至字符3：标识东芝（T）的多芯片（H）集成电路（G）。字符4：表示供电电压类型（A）。字符5：闪存接口类型为UFS（F）。字符6：内置控制器版本为4『4』 。字符7：容量用G bits表示（G）。字符8：容量为512G bits，即64GB『9』 。
〖叁〗、 对于东芝闪存“THGBM5G6A2JBAIR”的容量判断，一般可以借鉴 闪存命名规则中的特定位置信息来大致确定。在东芝闪存命名规则中，从左到右数第八位数字通常表示容量。在这个型号“THGBM5G6A2JBAIR”中，第八位数字是“6”，按照上述规则，“6”代表的是8GB容量。
〖肆〗、 白片闪存：民间称谓与厂商分类在闪存市场中，所谓白片并非严格定义，而是指由第三方厂商封装的良品颗粒，与原厂封装的Good Die相对。厂商区分主要为Good Die（良品）与Inked Die（不良品）。
〖伍〗、 每个闪存原厂来说都有自己的一套编号定义规则，对于东芝闪存来说，所有闪存部件都以字母T开头，分为TC58和TH58两种，前者代表单芯片封装（颗粒内只有一个闪存die），后者代表多芯片封装（颗粒内有多于1个die）。我们在东芝TR200 960G固态硬盘中看到的是后者。
同步带轮EBJ41-S5M250-60-B-N-D15各字母表示什么意思?
〖壹〗、 S5M是同步带的齿形是STD，模数是5mm，250指的是同步轮是50齿的，导程250mm，60指的应该是宽度60mm，D15应该指的是内孔直径15mm。
大规模和超大规模集成电路是第几代
〖壹〗、 第四代计算机。第四代计算机是从1970年以后采用大规模集成电路（LSI）和超大规模集成电路（VLSI）为主要电子器件制成的计算机。例如80386微处理器，在面积约为10mm X l0mm的单个芯片上，可以集成大约32万个晶体管。
〖贰〗、 第四代：超大规模集成电路计算机（1970年至现在）可以在硬币大小的芯片上容纳如此数量的元件使得计算机的体积和费用 不断下降，而功能和可靠性不断增强。
〖叁〗、 【答案】：C 计算机采用的电子器件为：第一代是电子管，第二代是晶体管，第三代是中、小规模集成电路，第四代是大规模、超大规模集成电路。
〖肆〗、 第四代计算机硬件方面，逻辑元件采用大规模和超大规模集成电路（LSI和VLSI），称为大规模集成电路机（1970年至今）。
〖伍〗、 第四代计算机采用了大规模集成电路（LSI）和超大规模集成电路（VLSI），这一代计算机的发展始于1970年以后。一个典型的例子是80386微处理器，它在一个面积仅为10mm x 10mm的芯片上集成了大约32万个晶体管。
〖陆〗、 第四代计算机 1972年至今 大规模及超大规模集成电路 性能到规模提高，费用 大幅度降低，广泛应用于社会生活的各个领域，走进办公室和家庭。第一代（ 1946 ～ 1957 ），以电子管为逻辑部件，以阴极射线管、磁芯和磁鼓等为存储手段。软件上采用机器语言，后期采用汇编语言。
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